Movilidad del portador (µn, p) es la medida de la facilidad de deriva del portador de carga. Es decir, una medida de la rapidez con la que un portador de carga puede moverse a través de un material. Por ejemplo, la rapidez con la que un electrón puede viajar a través de un semiconductor.

Descripción general

Cuando se aplica una Ecuación de campo eléctrico superior E a través de un material, los electrones ganan una velocidad neta en la dirección del campo llamada velocidad de deriva, definida como

Subíndice de ecuación v d La línea de base es igual a más o menos la acción de inicio q Subíndice tau c La línea de base Sobre 2 m Subíndice n coma p La línea de base de la acción de final E

Donde la ecuación de movilidad portadora Subíndice mu n coma p se define como

Ecuación Subíndice mu n coma p La línea de base es igual a Subíndice StartFraction q tau c Línea de base Más de 2 m Subíndice n coma p Línea de base EndFraction

Tenga en cuenta que esto es para electrones (Subíndice mu de la Ecuación n) y agujeros (Subíndice mu de la Ecuación p).

Características

Vale la pena señalar que a medida que aumenta el tiempo entre colisiones (Subíndice de Ecuación tau c), aumenta la movilidad. Del mismo modo, cuanto más ligera sea la partícula (Ecuación m), la movilidad también aumenta.

En el caso de un semiconductor como el silicio, a una temperatura fija (por ejemplo, temperatura ambiente), la movilidad dependerá del dopaje. Para el mismo nivel de dopaje, el Subíndice mu de la ecuación n > Subíndice mu de la ecuación p, por lo tanto, los agujeros son «más pesados» que los electrones. Además, para niveles bajos de dopaje, la ecuación mu estará limitada principalmente por colisiones con la red (a medida que aumenta la temperatura, la ecuación mu disminuirá). Con niveles de dopaje medios y altos, las colisiones con impurezas ionizadas limitarán la movilidad.